[发明专利]用于生产半导体器件特别是太阳能电池的金属背部触点的方法

权利要求书

1.一种用于生产半导体元件的背部触点(21)的方法，其中

所述背部触点(21)包括衬底(22)背部上的金属层(24)，

所述半导体器件(20)在所述衬底(22)的正面和/或背部具有额外层 (23、25、27、28)，

通过沉积工具(14、15、16)设置所述金属层和所述额外层(23、 24、25、27、28)，其中

在在线真空沉积系统(1)中由靶材(15)通过溅射或者通过气相沉 积来沉积所述金属层(24)，

在沉积所述金属层(24)之后，在所述在线真空沉积系统(1)中沉 积至少一个所述额外层(23、25、27、28)而无需中断真空，其中，所述 至少一个所述额外层是可焊层(25)，所述可焊层包括Ag、Ni、NiV、 NiCr或Cr中材料制成的一个或多个层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中

提供所述沉积工具(14、15、16)，使得根据所述真空沉积系统 (1)的产品流动路径设置用于在所述衬底(22)的背部上沉积所述金属 层和所述额外层(23、24、25)的所述沉积工具(14、15、16)，

所述沉积工具(14、15、16)与用于在所述衬底(22)的正面上沉积 所述额外层(27、28)的沉积工具相对。

3.根据权利要求1所述的方法，其中

所述衬底(22)沿着所述沉积工具(14、15、16)在水平路径中移 动，使得所述沉积方向是垂直的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中

所述金属层(24)包括铝、银、钼和/或镍中的一种材料或材料混合 物。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述金属层由铝组成，其中所述 金属层沉积到0.1μm到10μm的厚度。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其中

在沉积所述金属层(24)之前沉积钝化层(23)，所述钝化层由 SiN:H、SiC:H、SiO₂:H或a-Si:H中的一种材料制成。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述钝化层由SiN:H制成。

8.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其中

在沉积所述金属层(24)之后，为了连接所述衬底的背部上的所述金 属层(24)与所述衬底(22)，通过强激光束部分熔化所述金属层 (24)，使得形成激光烧结触点(LFC)。

9.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其中

在沉积所述金属层(24)之后，沉积阻挡层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述阻挡层由WTi制成。

11.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其中

在真空处理室中沉积至少两层，其中在所述衬底(22)的背部上沉积 层的时候，在所述衬底(22)的正面沉积层。

12.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其中

在普通载具中设置多个衬底，同时所述衬底设置有所述金属层和所述 额外层。

13.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其中

至少一个沉积工具(14、15、16)设置在真空处理室中的可插入部件 (11、12、13)中，所述可插入部件形如抽屉。

14.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其中

至少两个镀膜工具设置在真空处理室中的可插入部件中，所述可插入 部件形如抽屉。

15.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其中

金属层(24)、阻挡层和可焊层(25)中至少一者是气相沉积的，其 中各自的材料设置为穿过真空通路进入蒸发器的金属线。