[发明专利]使用顺序微通路激光钻凿形成多层衬底芯层结构的方法和根据该方法形成的衬底芯层结构无效
| 申请号： | 200880022291.7 | 申请日： | 2008-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101690436A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李永刚;I·萨拉玛;C·古鲁穆尔蒂 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H05K3/46 | 分类号： | H05K3/46;H05K3/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 钱慰民;袁 逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造衬底芯层结构的方法以及根据该方法形成的衬底芯层结构。该方法包括：贯穿起始绝缘层激光钻凿第一组通路孔；用导电材料填充第一组通路孔以提供第一组导电通路；在起始绝缘层相对的两个面上提供第一和第二经布图处理的导电层；在第一经布图处理的导电层上提供补充绝缘层；贯穿补充绝缘层地激光钻凿第二组通路孔；用导电材料填充第二组通路孔以提供第二组导电通路；并在补充绝缘层的暴露面上提供补充经布图处理的导电层，第二组导电通路在其相对的两个面上与第一经布图处理的导电层接触和补充经布图的导电层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 顺序 通路 激光 形成 多层 衬底 结构 方法 根据 | ||
【主权项】：
1.一种制造衬底芯层结构的方法，包括：提供起始绝缘层；贯穿所述起始绝缘层激光钻凿第一组通路孔；用导电材料填充所述第一组通路孔以提供第一组导电通路；在所述起始绝缘层的一个面上提供第一经布图处理的导电层，并在所述起始绝缘层的另一个面上提供第二经布图处理的导电层，所述第一组导电通路在其一面与所述第一经布图处理的导电层接触并在其另一面与所述第二导电层接触；以及在所述第一经布图处理的导电层上提供补充绝缘层；贯穿所述补充绝缘层激光钻凿第二组通路孔，所述第二组通路孔延伸至所述第一经布图处理的导电层；用导电材料填充所述第二组通路孔以提供第二组导电通路；在所述补充绝缘层的暴露面上提供补充经布图处理的导电层，所述第二组导电通路在其一面与所述第一经布图处理的导电层接触，而在其另一面与所述补充经布图处理的导电层接触。
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