[发明专利]为减少不均匀性的集成可控制性阵列装置有效
| 申请号： | 200880022243.8 | 申请日： | 2008-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101720498A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 尼尔·本杰明 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人： | 樊英如 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种在等离子处理环境中管理等离子均匀性以便于处理基片的集成可控制性阵列装置。该装置包括电子元件阵列。该装置还包括气体喷射器阵列，其中该电子元件阵列和该气体喷射器阵列设置为建立多个等离子区域，该多个等离子区域的每个等离子区域大体上相似。该装置进一步包括泵阵列，其中该泵阵列的单个泵散布于该电子元件阵列和该气体喷射器阵列中。该泵阵列配置为便于废气的局部移除以在等离子处理环境中维持一个均匀的等离子区域。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 不均匀 集成 控制性 阵列 装置 | ||
【主权项】：
一种在等离子处理环境中管理等离子均匀性以便于处理基片的集成可控制性阵列装置，包括：电子元件阵列；气体喷射器阵列，其中所述电子元件阵列和所述气体喷射器阵列布置为产生多个等离子区域，所述多个等离子区域的每一个等离子区域是大体上相似的；和泵阵列，所述泵阵列的单个泵散布于所述电子元件阵列和所述气体喷射器阵列之间，所述泵阵列被设置为便于废气的局部清除以在所述等离子处理环境中维持均匀的等离子区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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