[发明专利]三氯硅烷的制备方法和制备装置以及多晶硅的制备方法无效
| 申请号： | 200880017383.6 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101679045A | 公开（公告）日： | 2010-03-24 |
| 发明（设计）人： | 斋木涉;水岛一树;漆原诚 | 申请（专利权）人： | 三菱麻铁里亚尔株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉兰;孙秀武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 该三氯硅烷的制备方法具有以下步骤：将原料四氯硅烷和氢在1000℃以上～1900℃以下的第1温度范围进行转化反应，生成含有三氯硅烷、二氯硅烯、氯化氢和高级次硅烷化合物的第1反应生成气体的转化反应步骤(第1反应步骤)；将上述第1反应生成气体在1秒以内冷却至950℃以下的第1冷却步骤(在0.01秒以内冷却至低于600℃的情形除外)；在600℃以上～950℃以下的第2温度范围保持0.01秒以上～5秒以下的第2反应步骤；以及将第2反应步骤后的第2反应生成气体冷却至低于600℃的第2冷却步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷 制备 方法 装置 以及 多晶 | ||
【主权项】：
1.三氯硅烷的制备方法，其特征在于：该制备方法具有：将原料四氯硅烷和氢在1000℃以上～1900℃以下的第1温度范围进行转化反应，生成含有三氯硅烷、二氯硅烯、氯化氢和高级次硅烷化合物的第1反应生成气体的转化反应步骤(第1反应步骤)；将上述第1反应生成气体在1秒以内冷却至950℃以下的第1冷却步骤(在0.01秒以内冷却至低于600℃的情况除外)；在600℃以上～950℃以下的第2温度范围保持0.01秒以上～5秒以下的第2反应步骤；以及将第2反应步骤后的第2反应生成气体冷却至低于600℃的第2冷却步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱麻铁里亚尔株式会社，未经三菱麻铁里亚尔株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880017383.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：视频内容的搜索方法
- 下一篇：环氧氯丙烷的制造方法
