[发明专利]薄膜场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 200880013431.4 | 申请日： | 2008-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101669209A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 李政炯 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄丽娟;朱 梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜场效应晶体管及其制备方法。更具体而言，本发明涉及一种包含含有Si的氧化锌材料作为半导体层的沟槽材料的薄膜场效应晶体管及其制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备薄膜场效应晶体管的方法，该方法包括如下步骤：A)在基板上形成栅极；B)在所述基板和栅极上形成绝缘层；C)通过使用含有Si的氧化锌材料作为沟槽材料而在所述绝缘层上形成半导体层；和D)形成源极和漏极从而与半导体层连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG化学株式会社，未经LG化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200880013431.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：耐正压耐高温密封胶的配方及其制造工艺
- 下一篇：热熔胶
- 同类专利
- 专利分类
