[发明专利]磁控溅射装置

摘要

本发明的目的在于，提供一种在构成为利用旋转磁铁组使靶表面的磁场模式随时间移动的磁控溅射装置中，解决了在等离子点火和消去时被处理基板的不良率增高的问题，比以往降低了被处理基板的不良率的磁控溅射装置。本发明的磁控溅射装置设有等离子遮挡部件，该等离子遮挡部件相对靶在旋转磁铁组的相反侧具有缝隙，该等离子遮挡部件与被处理基板之间的距离比电子的平均自由行程短，或比鞘层厚度短。并且，通过抑制缝隙宽度和长度，使得等离子不能到达被处理基板。由此，可降低被处理基板的不良率。

主权项

1.一种磁控溅射装置，具有被处理基板、与被处理基板对置设置的靶、和被设置在靶的与被处理基板相反侧的磁铁，通过由该磁铁在靶表面形成磁场，将等离子封闭在靶表面，其特征在于，所述磁铁包含：多个板磁铁被设在柱状旋转轴上的旋转磁铁组；和在旋转磁铁组的周边与靶面平行设置、且在与靶面垂直的方向磁化的固定外周板磁铁，通过使所述旋转磁铁组随着所述柱状旋转轴一同旋转，所述靶表面的磁场模式随着时间变动，所述磁控溅射装置具有电接地的遮挡部件，该遮挡部件以覆盖所述靶的端部的方式与所述靶隔离，且相对所述旋转磁铁组设在所述靶的相反侧，所述遮挡部件构成向与所述柱状旋转轴的轴向相同的方向延伸，将所述靶向所述被处理基板开放的缝隙，所述被处理基板被设置在被处理基板设置台上，在向所述靶施加DC电力或RF电力、或同时施加DC电力和RF电力，在靶表面激励了等离子的期间，所述被处理基板或所述被处理基板设置台与所述遮挡部件之间的距离，比所述等离子在所述遮挡部件的位置处的鞘层厚度短。