[发明专利]磁控溅射装置有效
| 申请号: | 200880008619.X | 申请日: | 2008-03-14 |
| 公开(公告)号: | CN101636521A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
| 发明(设计)人: | 大见忠弘;后藤哲也;松冈孝明 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;H01L21/285 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒运朴;李 伟 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁控溅射 装置 | ||
1.一种磁控溅射装置,具有与被处理基板对置设置并保持靶的包 装板、和被设置在靶的相对于被处理基板的背面侧的磁铁,通过由该磁 铁在靶表面形成磁场,将等离子封闭在靶表面,其特征在于,
所述磁铁包含:多个板磁铁被设在柱状旋转轴上的旋转磁铁组;和 在旋转磁铁组的周边与靶面平行设置、且在与靶面垂直的方向磁化的固 定外周板磁铁,
通过使所述旋转磁铁组随着所述柱状旋转轴一同旋转,所述靶表面 的磁场模式随着时间变动,
所述磁控溅射装置具有电接地的遮挡部件,该遮挡部件以覆盖所述 靶的端部的方式与所述靶隔离,且相对所述旋转磁铁组设在所述靶的相 反侧,所述遮挡部件构成向与所述柱状旋转轴的轴向相同的方向延伸、 将所述靶向所述被处理基板开放的缝隙,
所述被处理基板被设置在被处理基板设置台上,在向所述靶施加直 流电力或射频电力、或同时施加直流电力和射频电力而在靶表面激励了 等离子的期间,所述被处理基板或所述被处理基板设置台与所述遮挡部 件之间的距离,比所述等离子在所述遮挡部件的位置处的鞘层厚度短。
2.一种磁控溅射装置,具有与被处理基板对置设置并保持靶的包 装板、和被设置在靶的相对于被处理基板的背面侧的磁铁,通过由该磁 铁在靶表面形成磁场,将等离子封闭在靶表面,其特征在于,
所述磁铁包含:多个板磁铁被设在柱状旋转轴上的旋转磁铁组;和 在旋转磁铁组的周边与靶面平行设置、且在与靶面垂直的方向磁化的固 定外周板磁铁,
通过使所述旋转磁铁组随着所述柱状旋转轴一同旋转,所述靶表面 的磁场模式随着时间变动,
所述磁控溅射装置具有电接地的遮挡部件,该遮挡部件以覆盖所述 靶的端部的方式与所述靶隔离,且相对所述旋转磁铁组设在所述靶的相 反侧,所述遮挡部件构成向与所述柱状旋转轴的轴向相同的方向延伸、 将所述靶向所述被处理基板开放的缝隙,
所述被处理基板被设置在被处理基板设置台上,在向所述靶施加直 流电力或射频电力、或同时施加直流电力和射频电力而在靶表面激励了 等离子的期间,所述被处理基板或所述被处理基板设置台与所述遮挡部 件之间的距离,比所述等离子在所述遮挡部件的位置处的电子的平均自 由行程短。
3.一种磁控溅射装置,具有与被处理基板对置设置并保持靶的包 装板、和被设置在靶的相对于被处理基板的背面侧的磁铁,通过由该磁 铁在靶表面形成磁场,将等离子封闭在靶表面,其特征在于,
所述磁铁包含:多个板磁铁被设在柱状旋转轴上的旋转磁铁组;和 在旋转磁铁组的周边与靶面平行设置、且在与靶面垂直的方向磁化的固 定外周板磁铁,
通过使所述旋转磁铁组随着所述柱状旋转轴一同旋转,所述靶表面 的磁场模式随着时间变动,
所述磁控溅射装置具有电接地的遮挡部件,该遮挡部件以覆盖所述 靶的端部的方式与所述靶隔离,且相对所述旋转磁铁组设在相反侧,所 述遮挡部件构成向与所述柱状旋转轴的轴向相同的方向延伸、将所述靶 向所述被处理基板开放的缝隙,
所述被处理基板被设置在被处理基板设置台上,在向所述靶施加直 流电力或射频电力、或同时施加直流电力和射频电力而在靶表面激励了 等离子的期间,所述被处理基板与所述遮挡部件之间的距离,比所述等 离子在所述遮挡部件的位置处的电子的平均自由行程短,而且,在等离 子点火时和消去时,所述被处理基板或所述被处理基板设置台与所述遮 挡部件的垂直方向距离,比所述遮挡部件的位置处的电子的平均自由行 程短,而且,所述被处理基板与所述遮挡部件的构成所述缝隙的端部的、 从垂直方向观察的最近部分的水平方向距离,比所述遮挡部件的位置处 的电子的平均自由行程长。
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