[发明专利]具有改善的隔离电压性能的微电子组件及其形成方法

摘要

提供了一种用于形成微电子组件的方法和一种微电子组件。在具有第一浓度的第一掺杂剂类型的基板(20)上形成第一和第二半导体器件(72)。在第一和第二半导体器件下方分别形成具有第二掺杂剂类型的第一和第二掩埋区(28)，其中在其之间具有间隙(34)。在基板上并且在第一和第二半导体器件之间形成至少一个阱区(64、70)。在第一和第二掩埋区之间形成具有第二浓度的第一掺杂剂类型的势垒区(48)并且该势垒区与该第一和第二掩埋区相邻，使得势垒区的至少一部分从第一和第二半导体器件延伸一深度(82)，该深度大于或等于掩埋区的深度。

主权项

一种用于构造微电子组件的方法，包括：在具有第一浓度的第一掺杂剂类型的基板上形成第一和第二半导体器件；在所述第一和第二半导体器件的下方分别形成具有第二掺杂剂类型的第一和第二掩埋区，所述第一和第二掩埋区之间具有间隙，所述第一和第二掩埋区均具有与所述间隙相邻的第一末端和与所述间隙相对的第二末端，所述第一末端从所述第一和第二半导体器件延伸第一深度；在所述基板上并且在所述第一和第二半导体器件之间形成至少一个阱区；以及在所述第一和第二掩埋区的所述第一末端之间形成具有第二浓度的所述第一掺杂剂类型的势垒区并且所述势垒区与所述第一末端相邻，使得所述势垒区的至少一部分从所述第一和第二半导体器件延伸第二深度，所述第二浓度大于所述第一浓度，并且所述第二深度大于或等于所述第一深度。