[发明专利]非易失性存储装置及非易失性存储装置中的数据写入方法有效
| 申请号： | 200880006041.4 | 申请日： | 2008-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN101622673A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 魏志强;岛川一彦;高木刚;加藤佳一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供非易失性存储装置及向非易失性存储装置的数据写入方法。该非易失性存储装置包括：存储阵列(102)，其包括：在第一平面内相互平行形成的多个第一电极配线(WL)；在平行于第一平面的第二平面内相互平行且与多个第一电极配线立体交叉的多个第二电极配线(BL)；分别对应于第一电极配线及第二电极配线的各个立体交叉点设置，具有电阻值可随着供给到对应的第一电极配线与对应的第二电极配线间的电流脉冲而可逆变化的可变电阻层的非易失性存储元件(11)；选择第一电极配线的选择装置(13)；存储阵列内部或外部的，连接到第一电极配线上进一步将施加到第一电极配线上的电压限制到规定的上限值以下的电压限制机构(15)。连接第一选择装置和电压限制机构的一个第一电极配线上连接有多个非易失性存储元件。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 中的 数据 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储装置，其特征在于，包括：存储阵列，其包括：在第一平面内相互平行形成的多个第一电极配线、在平行于所述第一平面的第二平面内相互平行且与所述多个第一电极配线立体交叉地形成的多个第二电极配线、在所述多个第一电极配线与所述多个第二电极配线的立体交叉位置上分别设置的非易失性存储元件；连接到所述多个第一电极配线、选择所述第一电极配线的第一选择装置，所述非易失性存储元件各自具有可变电阻层，其电阻值依供给到对应于该非易失性存储元件的所述立体交叉位置而设置的第一电极配线及第二电极配线间的电流脉冲而可逆地发生变化，所述存储阵列的内部或外部还具有连接到所述第一电极配线，将施加到所述第一电极配线上的电压限制到规定的上限值以下的电压限制机构，在连接所述第一选择装置和所述电压限制机构的一个第一电极配线上连接有多个所述非易失性存储元件。
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