[实用新型]快恢复二极管芯片有效
| 申请号： | 200820185880.4 | 申请日： | 2008-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN201256151Y | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 刘利峰;张景超;李栋良;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技有限公司;深圳市晶导电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 | 代理人： | 贾海芬 |
| 地址： | 213022*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种快恢复二极管芯片，包括金属阴极和金属阳极，杂质类型不同的第一掺杂层和第二掺杂层，以及氧化层和钝化层，所述第二掺杂层设置在第一掺杂层内；氧化层连接在第一掺杂层和第二掺杂层的上部，钝化层连接在氧化层的上部，氧化层和钝化层上开有窗口，金属阳极设置在窗口内，金属阳极的底面与第二掺杂层连接，金属阳极上部的场板与钝化层的上表面相连。本实用新型将钝化层设置在氧化层的上部，氧化层和钝化层连续完成生长，可利用钝化层的屏蔽作用，将原来的四次光刻减少到2次或1次，工艺周期缩短1/4，大大降低了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
1、一种快恢复二极管芯片，包括金属阴极(1)和金属阳极(7)，杂质类型不同的第一掺杂层(3)和第二掺杂层(4)，以及氧化层(5)和钝化层(6)，其特征在于，所述第二掺杂层(4)设置在第一掺杂层(3)内；氧化层(5)连接在第一掺杂层(3)和第二掺杂层(4)的上部，钝化层(6)连接在氧化层(5)的上部，氧化层(5)和钝化层(6)上开有窗口，金属阳极(7)设置在窗口内，金属阳极(7)的底面与第二掺杂层(4)连接，金属阳极(7)的上部场板(71)与钝化层(6)的上表面相连。
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