[实用新型]一种晶圆表面氧化膜去除装置有效
申请号: | 200820124346.2 | 申请日: | 2008-12-09 |
公开(公告)号: | CN201311920Y | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 徐继平 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭佩兰 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种晶圆表面氧化膜去除装置,它包括:一个工作风厨,一个位于工作风厨内的氢氟酸气体发生器,氢氟酸气体发生器接氢氟酸气体均压器,气体均压器出口接一个硅片反应室,反应室为中空的腔室结构,一侧连接排风管道,反应室内有装片用片槽,片槽下方有保护气腔,用于装卸硅片真空吸盘,还包括保护气体发生器,以及氢氟酸气体输运管道及阀门、保护气体输送管道及阀门、输送干燥气的管道和阀门。腔室内通氮气保护,硅片背面不受氢氟酸气体腐蚀,硅片正面与氢氟酸气体反应去除表面氧化膜。本实用新型的优点是:装置结构简单,操作方便,工作效率高。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 氧化 去除 装置 | ||
【主权项】:
1、一种晶圆表面氧化膜去除装置,其特征在于:它包括:一个工作风厨,一个位于工作风厨内的氢氟酸气体发生器(6),氢氟酸气体发生器接氢氟酸气体均压器(7),气体均压器出口接一个硅片反应室(8),反应室为中空的腔室结构,一侧连接排风管道,反应室内有装片用片槽(9),片槽下方有保护气腔,用于装卸硅片真空吸盘,还包括保护气体发生器(5),以及氢氟酸气体输运管道及阀门(2)、保护气体输送管道及阀门(1)、输送干燥气的管道和阀门(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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