[发明专利]用于导体或导体层的精确加工方法、判断导体或导体层通断的方法无效
| 申请号： | 200810247528.3 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101728235A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 曹建 | 申请（专利权）人： | 四川虹欧显示器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 100085 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于导体或导体层的精确加工方法，即在导体或导体层上形成宽度大于30纳米的间距或厚度大于30纳米的绝缘层，使导体或导体层断开。本发明还公开了一种精确控制加工尺寸达到导体或导体层导通的方法，即检测导体或导体层断开处的间距，若间距大于10nm则在所述导体或导体层断开处涂敷导电材料并对所述导电材料加热使其固化导通，使所述断开处的间距小于10nm。本发明还提供一种判断导体或导体层通断的方法。利用本发明方法提供的数据加工导体，既能够达到通断要求，又能够提高效率、节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 导体 精确 加工 方法 判断 层通断 | ||
【主权项】：
一种用于导体或导体层的精确加工方法，其特征在于，在导体或导体层上形成宽度为30到500纳米的间距或厚度为30到500纳米的绝缘层，使所述导体或导体层断开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
