[发明专利]用于导体或导体层的精确加工方法、判断导体或导体层通断的方法

说明书

技术领域

本发明属于电学领域，具体涉及一种用于导体或导体层的精确加工方法，本发明还涉及一种判断导体或导体层通断的方法。

背景技术

在电子类产品中，金属电极、导体层等导体间的导通与断开是我们经常面对的问题，比如短路、断路。我们通常的做法是对金属电极等导体部位进行一定尺度的修补后测试其通断与否，修补的尺寸没有精确控制和掌握，只要求达到通断目的即可。

这个问题出现在微电子领域时，由于电路尺寸小(达到微米及其以下量级的尺度)，而且相应加工设备的加工尺寸精细，效率相对低下，所以传统的做法已经不太适用，因为尺寸缺乏精确掌握会使得加工时间延长，效率下降，而且浪费材料。所以必须找到一种精确控制加工尺寸的方法，使得加工工艺既能够达到通断要求，又能够提高效率、节约成本。

发明内容

本发明目的在于提供一种用于导体或导体层的精确加工方法，本发明的目的还在于提供一种判断导体或导体层通断的方法。

为此，本发明提供了一种用于导体或导体层的精确加工方法，即在导体或导体层上形成宽度大于30纳米的间距或厚度大于30纳米的绝缘层，使导体或导体层断开。

其中，上述导体为短路的两导体或者为金属电极。

其中，在上述导体或导体层上形成30～50纳米、50～70纳米、70～100纳米、100～120纳米、120～130纳米、130～150纳米、150～170纳米、170～200纳米、200～250纳米、250～300纳米、300～330纳米、330～350纳米、350～400纳米、400～500纳米的间距或绝缘层，使所述导体或导体层断开。

其中，上述导体或导体层上的间距通过对导体所进行蚀刻形成。所述蚀刻包括聚焦离子束蚀刻、聚焦电子束蚀刻、以及激光蚀刻。

其中，上述绝缘层通过沉积或溅射形成。

其中，上述方法还包括检测导体或导体层断开处的间距，若间距大于10纳米则在导体或导体层断开处涂敷导电材料并对导电材料加热使其固化导通，使断开处的间距小于10纳米，导体或导体层导通。

其中，对于上述导体或导体层断开处之外的多余的涂敷面积，通过蚀刻使多余的涂敷面积与导体或导体层分离，蚀刻宽度大于30纳米。

另外，本发明还提供一种判断导体或导体层通断的方法，即检测两导体或导体层之间的间距或绝缘层厚度，当间距或绝缘层厚度小于10纳米时，认为两导体或两导体层导通，当间距或绝缘层厚度大于30纳米时，认为两导体或两导体层断开。

其中，制造上述绝缘层的绝缘材料的电阻率一般为10⁸Ω/m以上。

利用本发明方法提供的数据加工导体，既能够达到通断要求，又能够提高效率、节约成本。根据本发明方法判断导体或导体层通断，可以实现加工尺寸的精确控制。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明的其它的目的、特征和效果作进一步详细的说明。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分。图中，

图1是两导体之间的位置关系图；

图2是两导电层之间的位置关系图；

图3a和图3b是两导体间正常电子隧道效应示意图；以及

图4是电子势垒贯穿示意图。

具体实施方式

下面将参考附图并结合优选实施例，来详细说明本发明。

图1是两电极之间的位置关系图。两电极11、13之间间距为d，当d≤10nm时，两电极视为导通，如果要使其断开，采用聚焦离子束或聚焦电子束，或激光对电极进行刻蚀，以增大间距d，当d≥30nm时即可使得两电极断开。反之，当d≥30nm时，两电极视为断开，如果要使其导通，将导电材料涂覆在断开处，用激光、红外线或其它方式加热材料使导电物质固化导通，d＜＜10nm，这样两电极就达到良好电接触。对于多出的涂覆面积，可以刻蚀连接处，使其与导线分离，刻蚀宽度超过30nm即可，不需要将多余面积全部清理。