[发明专利]用于1T1C铁电存储器的动态自适应参考产生电路

摘要

本发明公开了集成电路设计制造技术领域中的一种用于1T1C铁电存储器的动态自适应参考产生电路。技术方案是，用于1T1C铁电存储器的动态自适应参考产生电路包括：交叉耦合型灵敏放大器、第一电流镜、第二电流镜、第一电压电流转换PMOS管、第二电压电流转换PMOS管、第三电压电流转换PMOS管、交叉耦合型灵敏放大器控制管、第一预放电NMOS管、第二预放电NMOS管、反馈NMOS管、第一电压电流转换PMOS管的使能管、第二电压电流转换PMOS管的使能管和第三电压电流转换PMOS管的使能管。本发明突破了参考信号分辨窗口原有设计的限制，提高了1T1C铁电存储器在获取数据时的读取速度和读取数据的正确率。

主权项

1、一种用于1T1C铁电存储器的动态自适应参考产生电路，其特征是所述电路包括：交叉耦合型灵敏放大器(101)、第一电流镜(102)、第二电流镜(103)、第一电压电流转换PMOS管(104)、第二电压电流转换PMOS管(105)、第三电压电流转换PMOS管(106)、交叉耦合型灵敏放大器控制管(107)、第一预放电NMOS管(108)、第二预放电NMOS管(109)、反馈NMOS管(110)、第一电压电流转换PMOS管的使能管(111)、第二电压电流转换PMOS管的使能管(112)和第三电压电流转换PMOS管的使能管(113)；所述交叉耦合型灵敏放大器(101)的输入端(sen)和(senb)分别接第一电流镜(102)和第二电流镜(103)的输出端；所述第一电流镜(102)输入端接第一电压电流转换PMOS管(104)的漏极；所述第二电流镜(103)输入端接第二电压电流转换PMOS管(105)和第三电压电流转换PMOS管(106)的漏极；所述第一电压电流转换PMOS管(104)的栅极接存储单元(D)的位线(BL)；第二电压电流转换PMOS管(105)的栅极接参考单元(1)的位线(RBL)；第三电压电流转换PMOS管(106)的栅极接参考单元(0)的位线(/RBL)；所述第一电压电流转换PMOS管的使能管(111)、第二电压电流转换PMOS管的使能管(112)和第三电压电流转换PMOS管的使能管(113)的栅极接(sdn)控制信号；所述第一电压电流转换PMOS管的使能管(111)的漏极接第一电压电流转换PMOS管(104)的栅极；所述第二电压电流转换PMOS管的使能管(112)的漏极接第二电压电流转换PMOS管(105)的栅极；所述第三电压电流转换PMOS管的使能管(113)的漏极接第三电压电流转换PMOS管(106)的栅极；所述交叉耦合型灵敏放大器控制管(107)的栅极接交叉耦合型灵敏放大器(101)的使能信号(sapn)，漏极接交叉耦合型灵敏放大器(101)的供电端；所述第一预放电NMOS管(108)的漏极接交叉耦合型灵敏放大器(101)的输出端(sen)，第二预放电NMOS管(109)的漏极接交叉耦合型灵敏放大器(101)的输出端(senb)；第一预放电NMOS管(108)的栅极和第二预放电NMOS管(109)的栅极接(pre)控制信号。所述反馈NMOS管(110)的漏极接交叉耦合型灵敏放大器(101)的电流输入端，栅极直接接存储单元(D)。