[发明专利]用于1T1C铁电存储器的动态自适应参考产生电路无效
| 申请号： | 200810239351.2 | 申请日： | 2008-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101465157A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 贾泽;邹重人;刘雷波;任天令;陈弘毅 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 童晓琳 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 t1c 存储器 动态 自适应 参考 产生 电路 | ||
1.一种用于1T1C铁电存储器的动态自适应参考产生电路，其特征是所述电 路包括：交叉耦合型灵敏放大器(101)、第一电流镜(102)、第二电流镜(103)、第 一电压电流转换PMOS管(104)、第二电压电流转换PMOS管(105)、第三电压电 流转换PMOS管(106)、交叉耦合型灵敏放大器控制管(107)、第一预放电NMOS 管(108)、第二预放电NMOS管(109)、反馈NMOS管(110)、第一电压电流转换 PMOS管的使能管(111)、第二电压电流转换PMOS管的使能管(112)和第三电压 电流转换PMOS管的使能管(113)；
所述交叉耦合型灵敏放大器(101)的输入端sen和输入端senb分别接第一电 流镜(102)和第二电流镜(103)的输出端；
所述第一电流镜(102)输入端接第一电压电流转换PMOS管(104)的漏极；
所述第二电流镜(103)输入端接第二电压电流转换PMOS管(105)和第三电压 电流转换PMOS管(106)的漏极；
所述第一电压电流转换PMOS管(104)的栅极接存储单元(D)的位线(BL)；第 二电压电流转换PMOS管(105)的栅极接参考单元(1)的位线(RBL)；第三电压电流 转换PMOS管(106)的栅极接参考单元(0)的位线(/RBL)；
所述第一电压电流转换PMOS管的使能管(111)、第二电压电流转换PMOS 管的使能管(112)和第三电压电流转换PMOS管的使能管(113)的栅极接(sdn)控制 信号；
所述第一电压电流转换PMOS管的使能管(111)的漏极接第一电压电流转换 PMOS管(104)的栅极；
所述第二电压电流转换PMOS管的使能管(112)的漏极接第二电压电流转换 PMOS管(105)的栅极；
所述第三电压电流转换PMOS管的使能管(113)的漏极接第三电压电流转换 PMOS管(106)的栅极；
所述交叉耦合型灵敏放大器控制管(107)的栅极接交叉耦合型灵敏放大器 (101)的使能信号(sapn)，漏极接交叉耦合型灵敏放大器(101)的供电端；
所述第一预放电NMOS管(108)的漏极接交叉耦合型灵敏放大器(101)的输出 端(sen)，第二预放电NMOS管(109)的漏极接交叉耦合型灵敏放大器(101)的输出 端(senb)；第一预放电NMOS管(108)的栅极和第二预放电NMOS管(109)的栅极 接(pre)控制信号。
所述反馈NMOS管(110)的漏极接交叉耦合型灵敏放大器(101)的电流输入 端，栅极直接接存储单元(D)。
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