[发明专利]一种高硅含量的铝/硅合金的制备方法无效
| 申请号： | 200810236490.X | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101445882A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 王菲;王亚平;丁秉钧;宋晓平 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 | 代理人： | 弋才富 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高硅含量的铝/硅合金的制备方法，首先，将占总重量40％-80％、粒径为1～300μm的硅粉与占总重量60％-20％、粒径为1～300μm的铝粉混合后放入球磨罐中进行高能球磨，在球磨过程中可选用占粉末体积比为0.001-5vol％的液体介质如无水乙醇、丙酮、航空汽油或煤油作为工艺控制剂，球磨粉末经20-300MPa冷压、450-900℃烧结1-10小时，硅、铝混合粉末经高能球磨后可以明显细化，细化粉末由于具有更大的表面能量和反应活性而有助于烧结致密化，从而得到硅粒子尺寸在0.5～150μm、组织均匀、性能优良的铝/硅电子封装材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含量 合金 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高硅含量的铝/硅合金的制备方法，其特征在于，首先，将占总重量40％-80％、粒径为1～300μm的硅粉与占总重量60％-20％、粒径为1～300μm的铝粉混合后放入球磨罐中进行高能球磨，其中高能球磨可以在真空、氩气、氮气或液氮保护下进行，其工艺参数范围为：填充系数为0.4～0.5，球料比为2∶1～80∶1，球磨时间为0.5-20小时，可以采用行星式、搅拌式、振动式或三维振动式球磨机；在球磨过程中可选用占粉末体积比为0.001-5vol％的液体介质如无水乙醇、丙酮、航空汽油或煤油作为工艺控制剂，球磨粉末经20-300MPa冷压、450-900℃烧结1-10小时得到铝/硅电子封装材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810236490.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
