[发明专利]灰化处理方法有效
| 申请号： | 200810226329.4 | 申请日： | 2008-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101740333A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;杜姗姗;韩保东 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种灰化处理方法，所述方法包括如下步骤：A、在真空环境的灰化室中设置被处理体，所述被处理体为磷掺杂的多晶硅晶圆；B、向灰化室中导入氧气、四氟化碳CF4气体和氮化氢N2H2气体组成的混合气体，并将所述混合气体等离子化，从而对被处理体表面的单质磷进行灰化；C、将被处理体置于高温环境，向灰化室中导入氧气、CF4气体和N2H2气体组成的混合气体，并将所述混合气体等离子化，从而对被处理体表面的磷化物进行灰化。本发明可有效去除多晶硅预掺杂过程在晶圆表面留下的杂质，从而提高集成电路晶圆的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 灰化 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种灰化处理方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：A、在真空环境的灰化室中设置被处理体，所述被处理体为磷掺杂的多晶硅晶圆；B、向灰化室中导入氧气、四氟化碳CF4气体和氮化氢N2H2气体组成的混合气体，并将所述混合气体等离子化，从而对被处理体表面的单质磷进行灰化；C、将被处理体置于高温环境，向灰化室中导入氧气、CF4气体和N2H2气体组成的混合气体，并将所述混合气体等离子化，从而对被处理体表面的磷化物进行灰化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
