[发明专利]基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构无效
| 申请号： | 200810219701.9 | 申请日： | 2008-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101431106A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 王钢;宋爱民;许坤远 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/772;H01L29/778;H01L29/739;H01L27/12;G01N23/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构，其由下往上依次包括绝缘衬底、具负微分迁移率的有源层及绝缘保护层，有源层的两侧还分别设有侧面电极，该有源层包括位于有源层左右两端的低电阻区域、位于有源层中间的电场强度分布不均匀的高电阻区域，且两低电阻区域通过高电阻区域相连通。该器件具有工艺简单、易于集成、功率高、热性能好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 微分 迁移率 平面 纳米 电磁 辐射器 结构 | ||
【主权项】：
1、一种基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构，其由下往上依次包括绝缘衬底、有源层及绝缘保护层，有源层的两侧还分别设有侧面电极，其特征在于：该有源层由具有负微分迁移率的材料制成，它包括位于有源层左右两端的低电阻区域、位于有源层中间的电场强度分布不均匀的高电阻区域，且两低电阻区域通过高电阻区域相连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810219701.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能电池表面结构的碱溶液湿法腐蚀工艺
- 下一篇：闪存结构的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
