[发明专利]基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构

权利要求书

1.一种基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构，其由下往上依次包 括绝缘衬底、有源层及绝缘保护层，有源层的两侧还分别设有侧面电极，其特 征在于：该有源层由具有负微分迁移率的材料制成，它包括位于有源层左右两 端的低电阻区域、位于有源层中间的电场强度分布不均匀的高电阻区域，且两 低电阻区域通过高电阻区域相连通。

2.根据权利要求1所述的基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构， 其特征在于：该高电阻区域的上下两侧分别设有绝缘区域，且每一绝缘区域的 整体几何形状关于有源层的中心线不对称。

3.根据权利要求1所述的基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构， 其特征在于：该高电阻区域的上下两侧分别设有绝缘区域，且绝缘区域中存在 关于绝缘区域中心线不对称的电荷分布。

4.根据权利要求2所述的基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构， 其特征在于：该绝缘区域呈L型。

5.根据权利要求3所述的基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构， 其特征在于：该绝缘区域内设有不与其它区域联通的孤立区域。

6.根据权利要求3所述的基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构， 其特征在于：该绝缘区域上下两端设有改变绝缘区域中电荷分布的电极。

7.根据权利要求2或3所述的基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结 构，其特征在于：通过在绝缘保护层上制作平面纳米电极，并加上偏压的方式 改变有源层导电特性的空间分布形成。

8.根据权利要求2或3所述的基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结 构，其特征在于：该绝缘区域通过在有源层上刻蚀纳米绝缘沟槽形成。

9.根据权利要求8所述的基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构， 其特征在于：该绝缘沟槽中还填有不同介电常数的绝缘材料。

10.根据权利要求1所述的基于负微分迁移率的平面纳米电磁辐射器结构， 其特征在于：该有源层由本征的In_0.53Ga_0.47As层和本征的In_0.53Al_0.47As层构成， 并在In_0.53Ga_0.47As层和In_0.53Al_0.47As层的界面上形成有二维电子气层，该绝缘保 护层上还可设置一层金属层。