[发明专利]一种金属硅的冶金级物理提炼方法无效
申请号: | 200810219272.5 | 申请日: | 2008-11-21 |
公开(公告)号: | CN101428802A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 陈炳聪 | 申请(专利权)人: | 储科电子(上海)有限公司 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200233上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种金属硅的冶金级物理提炼方法,依次包括有以下工序:原材料分类、清洗、吹干、预热、熔化、沉淀、去杂质、暂存、定向提纯、去皮、清洗、测量欧姆值和成品包装、封存;将原材料硅加热至一定高温,利用高温中硅的厌氧特性,去除大部分杂质,其后再加入一定的催化剂,去除硅溶液的其他杂质,大大降低了成本,而且减少污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属硅 冶金 物理 提炼 方法 | ||
【主权项】:
1、一种金属硅的冶金级物理提炼方法,其特征在于:包括有以下步骤;第一步:原材料分类,用极性测量仪测量材料中的N/P属性,初步确定原材料金属硅中硼、磷的含量,以决定接下来的步骤中其他催化剂的用量;第二步:清洗原材料,在高周波振动机中用盐酸清洗原材料金属硅表面杂质,然后用清水洗毛细孔,再以纯水初步去除表面杂质;第三步:吹干,在烘烤箱中把清洗过后的金属硅烘干其上的水分;第四步:预热,在预热器中将金属硅加热到一定的温度,缩短加工时间;第五步:熔化原材料金属硅,在熔化炉中将金属硅加热至某一高温并加入氧气,在该温度下,硅元素产生厌氧反应,而原材料中的铝、铁和钙会和加入的氧气发生氧化作用变成金属氧化物而分离;第六步:沉淀,在沉淀炉中将上述步骤中溶液与金属氧化物的密度差,将该金属氧化物去掉;第七步:去杂质,将去掉金属氧化物后硅溶液转放入离子炉,利用该炉加热到一定温度后放入催化剂去除硅溶液中的钛、铜、磷和硼元素;第八步:暂存,将去除了各种杂质的硅溶液转存入暂存炉中;第九步;定向提纯,将硅溶液转入定向炉,提纯出6N的金属硅,并冷却;第十步:去皮,用切割机将冷却后的金属硅切割成成品;第十一步:清洗,将切割后金属硅成品清洗干净;第十二步:测量欧姆值,用欧姆测量仪测量金属硅成品的欧姆值,检测该成品是否合格;第十三步:封存、包装合格的金属硅成品。
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