[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810213906.6 | 申请日： | 2008-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101378080A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 赵勇洙 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明披露了一种半导体器件及其制造方法，通过该半导体器件及其制造方法提高了沟道的迁移率并且可以使闪烁噪声的影响最小化。本发明实施例涉及一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上方形成第一外延层，在第一外延层上方形成第二外延层，在第二外延层上方形成栅电极，在栅电极的两侧上方形成隔离件，蚀刻与隔离件的两侧相邻的区域至衬底的深度，在隔离件下方的区域中形成LDD区，以及在与隔离件的两侧相邻的蚀刻区域上方形成用于源区/漏区的第三外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：第一外延层，位于衬底上方；第二外延层，位于所述第一外延层上方；栅电极，位于所述第二外延层上方；隔离件，位于所述栅电极的两侧上方；以及LDD区，形成在所述隔离件的下方并且达到所述第一外延层的深度。
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