[发明专利]多晶硅薄膜组件的制备方法

摘要

本发明涉及多晶硅薄膜的制备及其太阳能电池使用的多晶硅薄膜的组件的形成方法。一种多晶硅薄膜组件的制备方法，其主要特点包括有如下步骤：A.基底清洗；B.多晶硅薄膜制备，将高纯硅作为靶材，当真空室体内压强抽到2×10^-4Pa后，向真空室体充入氩气，真空室体内压强达到0.5～5Pa时，在基底的工件车和真空室体间加200～1000V的偏压，占空比为45～80％；磁场强度300～500Gs，开始磁控溅射镀膜，在基片铝膜表面形成多晶硅薄膜；基片温度为25～30℃，镀膜时，真空室体温度为25～30℃。本发明的优点是，可在常温下直接得到高结晶度的多晶硅薄膜，使得硅衬底薄膜的制备与结晶在真空条件下同步完成，大大降低了多晶硅薄膜大规模制备的成本。其工艺简单，可批量生产。

主权项

1.一种多晶硅薄膜组件的制备方法，其特征在于有如下步骤： A.基底清洗，在超声清洗机中用清洗液和纯净水的混合液对基底进行表面清洗； B.铝膜电极制备，将清洗好的基底放入真空室蒸镀铝膜； C.多晶硅薄膜制备，将高纯硅作为靶材，当真空室体内压强抽到2×10^-4Pa后，向 真空室体充入氩气，真空室体内压强达到0.5～5Pa时，在安装基底的工件车与真 空室体之间加200～1000V的偏压，占空比为45～80％；磁场强度300～500Gs，开 始磁控溅射镀膜，在基片铝膜表面形成多晶硅薄膜；基片温度为25～30℃，镀膜 时，真空室体温度为25～30℃； D.导电透明电极或梳状电极制备，在多晶硅薄膜表面镀制导电透明电极或者梳状 电极；选用纯度为99.99％的氧化锌和纯度为99.99％的氧化铝混合烧结成直流溅 射靶，其中氧化铝含量为6～10％质量分数，将两靶相对放置，靶间距为40～70mm； 将镀好的多晶硅薄膜膜层朝向两靶，放在高于两靶上边缘3～10cm的位置；溅射 前本底真空为2～5×10^-2Pa，将纯度为99.999％的氩气通过阀门充入工作室，直 至气压达到1～5Pa，开启溅射电源，继续通入氩气；沉积厚度为200～500nm； E.减反射保护膜制备，在导电透明电极或者多晶硅薄膜和梳状电极上制备减反射 膜：开启氟化镁蒸发电源，蒸发电流为1500～1800A，电压为6～10V，时间为 50～100s。如权利要求1所述的多晶硅薄膜制备方法，其特征是所述的基底的材料 为玻璃、金属材料或是塑料柔性材料。