[发明专利]制造薄膜晶体管的微晶硅薄膜的方法及设备

摘要

一种制造薄膜晶体管的微晶硅薄膜的方法及设备，涉及薄膜晶体管的技术领域，所解决的是现有技术的薄膜会晶化不均匀或受污染，以及制造成本高的技术问题。制造方法利用电子枪发射的电子束冲击非晶硅薄膜表面，使高速的电子能量转化为热能对非晶硅薄膜局部加热，通过对加热温度和时间的控制使该处微晶硅晶化，并通过控制电子束扫描整张非晶硅薄膜，从而将其晶化为微晶硅薄膜。制造设备包括设置于真空腔内的用于发射电子束电子枪、用于将电子束聚焦于被加工工件上的电子束聚焦电极、用于控制电子束偏转以扫描被加工工件的电场偏转电极。利用本发明提供的方法及设备，所制造的硅薄膜晶化均匀、制造过程中硅薄膜不会受污染，且能降低制造成本。

主权项

一种制造薄膜晶体管的微晶硅薄膜的方法，其特征在于，具体步骤如下：1)在一真空腔内设置电子枪、电子束聚焦电极和电场偏转电极；2)将沉积有非晶硅薄膜的基板去氢处理后放入真空腔；3)对真空腔抽真空，使其真空度达到1×10-3Pa；4)启动电子枪，使其发射电子束，并施加阳极电压对电子束进行加速，同时利用电子束聚焦电极将电子束聚焦至基板的局部非晶硅薄膜上，使该处非晶硅晶化；5)利用电场偏转电极控制电子束左右偏转，使其左右向扫描基板的非晶硅薄膜；6)前后向移动基板，然后重复步骤5)至6)，直至电子束扫描完整个基板上的非晶硅薄膜，使其晶化为微晶硅薄膜。