[发明专利]制造薄膜晶体管的微晶硅薄膜的方法及设备

权利要求书

1.一种制造薄膜晶体管的微晶硅薄膜的方法，其特征在于，具体步骤如下：

1)在一真空腔内设置电子枪、电子束聚焦电极和电场偏转电极；

2)将沉积有非晶硅薄膜的基板去氢处理后放入真空腔；

3)对真空腔抽真空，使其真空度达到1×10^-3Pa；

4)启动电子枪，使其发射电子束，并施加阳极电压对电子束进行加速，同时利用电子束聚焦电极将电子束聚焦至基板的局部非晶硅薄膜上，使该处非晶硅晶化；

5)利用电场偏转电极控制电子束左右偏转，使其左右向扫描基板的非晶硅薄膜；

6)前后向移动基板，然后重复步骤5)至6)，直至电子束扫描完整个基板上的非晶硅薄膜，使其晶化为微晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的制造薄膜晶体管的微晶硅薄膜的方法，其特征在于：所述电子束的功率密度在1000w/cm²至3500w/cm²之间。

3.根据权利要求1所述的制造薄膜晶体管的微晶硅薄膜的方法，其特征在于：所述非晶硅薄膜晶化为微晶硅薄膜后，其晶粒尺寸在5纳米至2微米之间。

4.一种制造薄膜晶体管的微晶硅薄膜的设备，其特征在于：包括设置于真空腔内的电子枪、电子束聚焦电极和电场偏转电极，所述电子枪用于发射电子束，所述电子束聚焦电极用于将电子束聚焦于被加工工件上，所述电场偏转电极用于控制电子束偏转，使其往返扫描被加工工件。

5.根据权利要求4所述的制造薄膜晶体管的微晶硅薄膜的设备，其特征在于：所述电子束聚焦装置是电聚焦器或磁聚焦器。

6.根据权利要求4所述的制造薄膜晶体管的微晶硅薄膜的设备，其特征在于：所述电场偏转装置是磁场偏转器或电场偏转器。