[发明专利]掺镝的硫系玻璃及其制备方法无效
申请号: | 200810202691.8 | 申请日: | 2008-11-13 |
公开(公告)号: | CN101412583A | 公开(公告)日: | 2009-04-22 |
发明(设计)人: | 彭波;韦玮;陶光明;郭海涛;冯雷 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | C03C3/32 | 分类号: | C03C3/32 |
代理公司: | 上海东创专利代理事务所 | 代理人: | 曹立维 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明属光学材料技术领域,涉及红外光学透过材料、红外发光材料及其制备方法,具体为一种新型含镝硫系玻璃及其制备方法。其包括如下组分及摩尔含量:Ge:20mol%~24mol%,Ga:10mol%~12mol%,S:52mol%~67mol%,CdS:1mol%~18mol%,以GeGaS-CdS玻璃的总重量计,其中稀土元素镝的掺杂量范围为:1000ppm-50000ppm。其制备步骤主要包括:石英管的预处理、玻璃配合料的纯化处理、真空封接和玻璃熔制。与以往的硫系玻璃相比,该含镝硫系玻璃起始反应物对石英无腐蚀性,且稀土元素引入量含量非常高,成玻性优良,热力学性能好。本发明提出的新型掺镝的硫系玻璃制备方法工艺简单、无腐蚀、易于操作、加工周期短、效率高,适合于规模化生产,本发明含镝硫系玻璃可作为红外激光材料应用于国防、通讯等高科技领域。 | ||
搜索关键词: | 玻璃 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种掺镝的硫系玻璃,其特征在于包括如下组分及摩尔含量:Ge:20mol%~24mol%Ga:10mol%~12mol%S:52mol%~67mol%CdS:1mol%~18mol%以GeGaS-CdS玻璃的总重量计,其中稀土元素镝的掺杂量范围为:1000ppm-50000ppm。
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