[发明专利]电阻式随机存储器用合金电极材料及其制备技术无效
申请号: | 200810200174.7 | 申请日: | 2008-09-19 |
公开(公告)号: | CN101677014A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 于伟东;李效民;杨蕊;刘新军;王群;陈立东 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | G11C11/21 | 分类号: | G11C11/21;C23C14/22;C23C16/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 20005*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种电阻式随机存储器用合金电极材料和制备技术。本发明的目的是通过采用合金化的方法,提高电极材料与电阻记忆薄膜的接触电阻,改善存储器的存储性能。电极合金化的主要依据是材料的功函数、化学活性、互溶度以及与氧化物的结合强度等方面。针对所使用的电阻记忆薄膜的功函数,以形成肖特基接触为依据,选择主体金属材料;以可以化合/传输氧原子为依据选择客体材料。这种合金电极不仅有效地拓宽了电阻记忆薄膜制备的工艺参数范围,而且明显改善了薄膜的电阻记忆保持性和疲劳性。由于采用与现有集成电路工艺兼容的制备方法,将有利于其实际应用。 | ||
搜索关键词: | 电阻 随机 存储 器用 合金 电极 材料 及其 制备 技术 | ||
【主权项】:
1、电阻式随机存储器用合金电极材料,其特征在于所述合金电极材料的选择依据为主体金属材料可以与相应记忆材料形成肖特基接触,客体材料可以化合/传输氧原子。
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