[发明专利]用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极及其制备方法有效
| 申请号： | 200810197672.0 | 申请日： | 2008-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101413132A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 王升高;程莉莉;余冬冬;邓晓清;杜宇;汪建华 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | C25B11/02 | 分类号： | C25B11/02;G01N27/30 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极及其制备方法，包括有以下步骤：1)在芯片材料上制备钛膜，然后利用含有碳源的等离子体将该钛膜碳化，制得碳化钛膜；或直接制备碳化钛膜；2)采用磁控溅射法或直流溅射法或蒸发镀法，在碳化钛膜表面制备一层金膜，然后在金膜表面涂覆一层光刻胶，利用制得好的图形屏蔽光照、显影，利用金腐蚀液去除无光刻胶处的金膜，所需电极位置的碳化钛膜被金膜覆盖，其它部位的碳化钛膜裸露；3)利用氧等离子体处理样品，将裸露的碳化钛膜氧化为二氧化钛膜，去除剩下的金膜，即得。本发明与现有技术相比具有以下优点：制备的埋层式碳化钛电极不会给芯片的封装带来不便，且强度高，导电性能好，性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微流控 芯片 埋层式 碳化 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极，其特征在于包括有碳化钛膜(2)、二氧化钛膜(1)和芯片材料(3)，碳化钛膜嵌套在二氧化钛膜中，二者集成在芯片材料上，且碳化钛膜与二氧化钛膜上表面平齐。
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