[发明专利]用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极及其制备方法

权利要求书

1.用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极的制备方法，其特征在于包括有以下步骤：

1)利用磁控溅射法在芯片材料上制备钛膜，然后利用含有碳源的等离子体将该钛膜强制碳化，制得碳化钛膜；或利用磁控溅射法直接在芯片材料上制备碳化钛膜；

2)采用磁控溅射法或直流溅射法或蒸发镀法，在步骤1)制得的碳化钛膜表面制备一层金膜，然后在金膜表面涂覆一层光刻胶，利用制得好的图形屏蔽光照、显影，利用金腐蚀液去除无光刻胶处的金膜，所需电极位置的碳化钛膜被金膜覆盖，其它部位的碳化钛膜裸露；

3)利用氧等离子体处理样品，将裸露的碳化钛膜氧化为二氧化钛膜，去除剩下的金膜，即获得埋层式的碳化钛电极，其碳化钛膜与二氧化钛膜上表面平齐。

2.按权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤1)所述的碳源为甲烷、乙炔、甲醇、丙酮或乙醇。

3.按权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤1)所述的等离子体碳化步骤是采用微波等离子体或射频等离子体进行碳化。

4.按权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤3)所述的氧等离子体为微波等离子体或射频等离子体。

5.按权利要求1-4任意一项所述的制备方法，其特征在于所述的碳化钛膜厚度为10～200nm。

6.权利要求1所述的用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极，其特征在于包括有碳化钛膜(2)、二氧化钛膜(1)和芯片材料(3)，碳化钛膜嵌入在二氧化钛膜中，二者集成在芯片材料上，且碳化钛膜与二氧化钛膜上表面平齐。

7.按权利要求6所述的用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极，其特征在于所述的碳化钛膜厚度为10-200nm。

8.按权利要求6或7所述的用于微流控芯片的埋层式碳化钛电极，其特征在于所述的芯片材料或为玻璃芯片，或为陶瓷芯片。