[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法

摘要

一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法。利用一第一半调式光掩膜在多晶硅层上形成一第一图案化光阻层；以第一图案化光阻层为掩膜移除部分多晶硅层，以形成多个第一多晶硅岛状物、多个第二多晶硅岛状物与多个第三多晶硅岛状物，其中第一多晶硅岛状物与第二多晶硅岛状物位于周边区上，且第三多晶硅岛状物位于数组区上；移除第二多晶硅岛状物与第三多晶硅岛状物上方的第一图案化光阻层；进行一沟道掺杂工艺，以于第二多晶硅岛状物与第三多晶硅岛状物内注入离子；移除第一图案化光阻层。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：在一基板上形成一多晶硅层，且该基板具有一周边区与一阵列区；利用一第一半调式光掩膜在该多晶硅层上形成一第一图案化光阻层；以该第一图案化光阻层为掩膜移除部分该多晶硅层，以形成多个第一多晶硅岛状物、多个第二多晶硅岛状物与多个第三多晶硅岛状物，其中该些第一多晶硅岛状物与该些第二多晶硅岛状物位于该周边区上，且该些第三多晶硅岛状物位于该阵列区上；移除该些第二多晶硅岛状物与该些第三多晶硅岛状物上方的该第一图案化光阻层；进行一沟道掺杂工艺，以于该些第二多晶硅岛状物与该些第三多晶硅岛状物内注入离子；移除该第一图案化光阻层；进行一第二离子注入工艺，以于各该第二多晶硅岛状物内形成一第二源极/漏极并于各该第三多晶硅岛状物内形成一第三源极/漏极，其中该第二源极/漏极之间即是一第二沟道区，且该第三源极/漏极之间即是一第三沟道区；在该基板上形成一栅绝缘层，以覆盖住该些第一多晶硅岛状物、该些第二多晶硅岛状物与该些第三多晶硅岛状物；在该栅绝缘层上形成多个第一栅极、多个第二栅极与多个第三栅极，其中该些第一栅极、该些第二栅极与该些第三栅极分别位于该些第一多晶硅岛状物、该些第二多晶硅岛状物与该些第三多晶硅岛状物上方；进行一第一离子注入工艺，以于各该第一多晶硅岛状物内形成一第一源极/漏极，而该第一源极/漏极之间即是一第一沟道区；在该基板上形成一第一图案化保护层，以覆盖该些第一栅极、该些第二栅极与该些第三栅极；以该第一图案化保护层为掩膜移除部分该栅绝缘层，以暴露出各该第一源极/漏极的部分、各该第二源极/漏极的部分与各该第三源极/漏极的部分；在该第一图案化保护层上形成多个第一源极/漏极导体层、多个第二源极/漏极导体层与多个第三源极/漏极导体层，其中该些第一源极/漏极导体层分别与该些第一源极/漏极电性连接，而该些第二源极/漏极导体层分别与该些第二源极/漏极电性连接，且该些第三源极/漏极导体层分别与该些第三源极/漏极电性连接；在该第一图案化保护层上形成一第二图案化保护层，其中该第二图案化保护层暴露出各该第三源极/漏极导体层的部分；以及在该第二图案化保护层上形成多个像素电极，其中各该像素电极与相对应的该第三源极/漏极导体层电性连接。