[发明专利]真空气相沉积装置、真空气相沉积方法和气相沉积物无效

专利信息
申请号: 200810178706.1 申请日: 2008-11-19
公开(公告)号: CN101440472A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: 佐野真二;郷原广道;滨敏夫;木村浩 申请(专利权)人: 富士电机控股株式会社
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;C23C14/54
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 浦易文
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了真空气相沉积装置、真空气相沉积方法和气相沉积物。当客体材料与主体材料之比非常小时,很难非常精确地保持待气相沉积在工件表面上的客体材料的比率和客体材料的分布状态。根据本发明的真空气相沉积装置包括:真空室;设置在真空室内的第一气相沉积源和第二气相沉积源;以及用于在真空室内将工件保持在固定状态的工件保持构件,工件具有将从第一气相沉积源和第二气相沉积源供给的客体材料和主体材料沉积于其上的表面,该真空气相沉积装置还包括:屏蔽件,屏蔽件定位在第一气相沉积源和由工件保持构件保持的衬底之间,且引起在衬底表面上客体材料的气相沉积量小于主体的气相沉积量;屏蔽件驱动机构,屏蔽件驱动机构使屏蔽件绕第一轴线转动且使屏蔽件相对于第二轴线运动;以及单个驱动源,驱动源通过屏蔽件驱动机构驱动屏蔽件。
搜索关键词: 空气 沉积 装置 方法 和气 沉积物
【主权项】:
1. 一种真空气相沉积装置,具有真空室、设置在所述真空室内的第一气相沉积源和第二气相沉积源、以及用于在所述真空室内将工件保持在固定状态的工件保持装置,所述工件具有将从所述第一气相沉积源和第二气相沉积源供给的第一气相沉积材料和第二气相沉积材料沉积于其上的表面,所述真空气相沉积装置包括:屏蔽件,所述屏蔽件定位在所述第一气相沉积源和由所述工件保持装置保持的所述工件之间,且引起在所述工件表面上所述第一气相沉积材料的气相沉积量小于所述第二气相沉积材料的气相沉积量;屏蔽件驱动机构,所述屏蔽件驱动机构使所述屏蔽件绕第一轴线转动且使所述屏蔽件相对于第二轴线运动;以及单个驱动源,所述驱动源通过所述屏蔽件驱动机构驱动所述屏蔽件。
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