[发明专利]双面太阳能电池的制造方法无效
申请号: | 200810177806.2 | 申请日: | 2008-12-01 |
公开(公告)号: | CN101752452A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 沈昌宏;罗珮婷;游志成;曾玉珠 | 申请(专利权)人: | 台湾茂矽电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 陈晨;张浴月 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种双面太阳能电池的制造方法,至少包含步骤:提供半导体基板;于半导体基板的第一表面上形成射极层,并于半导体基板与射极层间形成pn结;于射极层上形成第一抗反射膜;于半导体基板的第二表面上以网版印刷技术形成掺杂源层;于半导体基板与掺杂源层间形成背表面电场层;于背表面电场层上形成第二抗反射膜;于第二表面上形成至少一第二电极;以及于第一表面上形成至少一第一电极。本发明所提供的双面太阳能电池的制造方法可以有效简化工艺,并可大幅缩短整体的工艺时间,且可进一步节省成本,使得双面太阳能电池的制造过程更为简便、快速以及有效率。 | ||
搜索关键词: | 双面 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种双面太阳能电池的制造方法,至少包含步骤:提供一半导体基板;形成一射极层于该半导体基板的一第一表面上,并于该半导体基板与该射极层间形成pn结;形成一第一抗反射膜于该射极层上;以网版印刷技术形成一掺杂源层于该半导体基板的一第二表面上;形成一背表面电场层于该半导体基板与该掺杂源层间;形成一第二抗反射膜于该背表面电场层上;形成至少一第二电极于该第二表面上;以及形成至少一第一电极于该第一表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的