[发明专利]双面太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种双面太阳能电池的制造方法，至少包含步骤：

提供一半导体基板；

形成一射极层于该半导体基板的一第一表面上，并于该半导体基板与该射极层间形成pn结；

形成一第一抗反射膜于该射极层上；

以网版印刷技术形成一掺杂源层于该半导体基板的一第二表面上；

形成一背表面电场层于该半导体基板与该掺杂源层间；

形成一第二抗反射膜于该背表面电场层上；

形成至少一第二电极于该第二表面上；以及

形成至少一第一电极于该第一表面上。

2.如权利要求1所述的双面太阳能电池的制造方法，其中于提供该半导体基板的步骤还包括形成凹凸纹理于该半导体基板表面的步骤。

3.如权利要求1所述的双面太阳能电池的制造方法，其中形成该射极层于该半导体基板的该第一表面上，并于该半导体基板与该射极层间形成pn结的步骤还包括移除形成于该射极层上方的一磷硅玻璃层的步骤。

4.如权利要求1所述的双面太阳能电池的制造方法，其中形成该第一抗反射膜于该射极层上的步骤是以等离子体辅助化学气相沉积法形成该第一抗反射膜，且该第一抗反射膜为一氮硅化合物。

5.如权利要求1所述的双面太阳能电池的制造方法，其中该掺杂源层由3A族的胶质薄膜所构成，且该掺杂源层为一铝胶质薄膜。

6.如权利要求1所述的双面太阳能电池的制造方法，其中形成该背表面电场层于该半导体基板与该掺杂源层间的步骤还包括移除该第二表面上的该掺杂源层的步骤，且该第二抗反射膜为一氮硅化合物。

7.如权利要求1所述的双面太阳能电池的制造方法，其中形成该第二抗反射膜于该背表面电场层上的步骤还包括移除部分的该第二抗反射膜并暴露出部分的该背表面电场层的步骤，且该第二抗反射膜为一氧化合物。

8.如权利要求1所述的双面太阳能电池的制造方法，其中形成至少该第二电极于该第二表面上的步骤还包括形成一第二导电材料于该半导体基板的该第二表面上以及使部分的该第二导电材料形成该第二电极的步骤，以及形成至少该第一电极于该第一表面上的步骤还包括形成一第一导电材料于该半导体基板的该第一表面上以及使部分的该第一导电材料形成该第一电极的步骤。

9.一种双面太阳能电池的制造方法，至少包含步骤：

提供一半导体基板；

形成一射极层于该半导体基板的一第一表面上，并于该半导体基板与该射极层间形成pn结；

形成一第一抗反射膜于该射极层上；

形成一掺杂源层于该半导体基板的一第二表面上；

形成一背表面电场层于该半导体基板与该掺杂源层间；

形成一第二抗反射膜于该背表面电场层上；

形成至少一第二电极于该第二表面上；以及

形成至少一第一电极于该第一表面上。

10.如权利要求9所述的双面太阳能电池的制造方法，其中于提供该半导体基板的步骤还包括形成凹凸纹理于该半导体基板表面的步骤。

11.如权利要求9所述的双面太阳能电池的制造方法，其中形成该射极层于该半导体基板的该第一表面上，并于该半导体基板与该射极层间形成pn结的步骤还包括移除形成于该射极层上方的一磷硅玻璃层的步骤。

12.如权利要求9所述的双面太阳能电池的制造方法，其中形成该掺杂源层于该半导体基板的该第二表面上的步骤是以网版印刷技术形成该掺杂源层，该掺杂源层为3A族的胶质薄膜所构成，且该掺杂源层为一铝胶质薄膜。

13.如权利要求9所述的双面太阳能电池的制造方法，其中形成该掺杂源层于该半导体基板的该第二表面上的步骤以溅镀技术形成该掺杂源层。

14.如权利要求9所述的双面太阳能电池的制造方法，其中形成该背表面电场层于该半导体基板与该掺杂源层间的步骤还包括移除该第二表面上的该掺杂源层的步骤。

15.如权利要求9所述的双面太阳能电池的制造方法，其中形成该第二抗反射膜于该背表面电场层上的步骤还包括移除部分的该第二抗反射膜并暴露出部分的该背表面电场层的步骤。

16.如权利要求9所述的双面太阳能电池的制造方法，其中形成至少该第二电极于该第二表面上的步骤还包括形成一第二导电材料于该半导体基板的该第二表面上以及使部分的该第二导电材料形成该第二电极的步骤，以及形成至少该第一电极于该第一表面上的步骤还包括形成一第一导电材料于该半导体基板的该第一表面上以及使部分的该第一导电材料形成该第一电极的步骤。