[发明专利]提高用于无孔间隙填充的介电膜质量的方法和系统

摘要

本发明是一种提高用于无孔间隙填充的介电膜质量的方法和系统。一种在基板上形成氧化硅层的方法。该方法包括提供基板和形成覆盖至少部分基板的第一氧化硅层，该第一氧化硅层包括剩余水、羟基和碳种类物质。该方法还包括将第一氧化硅层暴露到多种含硅种类物质以形成与第一氧化硅层部分混合的多种非晶硅成分。此外，该方法包括在氧化环境中退火与多种非晶硅成分部分混合的第一氧化硅层以在基板上形成第二氧化硅层。至少部分非晶硅成分被氧化以变成部分的第二氧化硅层和未反应的剩余羟基且在第二氧化硅层中的碳种类物质基本被去除。

主权项

1. 一种用于在基板上形成氧化硅层的方法，该方法包括：提供基板；形成覆盖至少一部分基板的第一氧化硅层，该第一氧化硅层包括剩余水、羟基和碳种类物质；将第一氧化硅层暴露于多种含硅种类物质，多种含硅种类物质中的至少一部分与至少一部分剩余水和羟基反应或者被热分解以形成部分地与第一氧化硅层混合的多种非晶硅成分；在氧化环境中退火部分地与多种非晶硅成分混合的第一氧化硅层以在基板上形成第二氧化硅层，其中至少一部分非晶硅成分被氧化以成为部分第二氧化硅层，且其中在第二氧化硅层中的未反应的剩余羟基和碳种类物质被基本去除。