[发明专利]用于形成薄膜晶体管液晶显示装置中的电路的蚀刻剂组合物有效
| 申请号： | 200810168643.1 | 申请日： | 2008-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101392375A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 金南绪;姜东浒;李骐范;曺三永 | 申请（专利权）人： | 株式会社东进世美肯 |
| 主分类号： | C23F1/16 | 分类号： | C23F1/16 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟 晶 |
| 地址： | 韩国仁*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种用于蚀刻形成薄膜晶体管-液晶显示装置(TFT-LCD)电极的金属层的蚀刻剂组合物。所述蚀刻剂组合物基于其总重量包含：55-75wt％的磷酸、0.75-1.99wt％的硝酸、10-20wt％的醋酸、0.05-0.5wt％的Mo蚀刻控制剂、0.02-3wt％的含硼化合物和余量的水。TFT-LCD用蚀刻剂组合物适合于单步法湿式蚀刻用于形成栅极、源极和漏极的Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层，而没有AlNd、Al和Mo的突出和底切，并且提供优异的锥形蚀刻剖面。另外，由于不使用干式蚀刻工艺，制造过程得到简化，产率得到提高，生产成本下降。进一步地，即使不使用诸如高氯酸盐的非环境友好型材料、导致蚀刻剂组合物使用寿命缩短的不稳定组分或侵蚀作为基板的玻璃的氟基化合物，也能够通过仅一次湿式蚀刻Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层而得到优异的锥形剖面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 薄膜晶体管 液晶 显示装置 中的 电路 蚀刻 组合 | ||
【主权项】：
1. 一种蚀刻剂组合物，基于所述蚀刻剂组合物的总重量，包含：55-75wt％的磷酸、0.75-1.99wt％的硝酸、10-20wt％的醋酸、0.05-0.5wt％的Mo蚀刻控制剂、0.02-3wt％的含硼化合物和佘量的水。
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