[发明专利]用于形成薄膜晶体管液晶显示装置中的电路的蚀刻剂组合物有效
申请号: | 200810168643.1 | 申请日: | 2008-09-17 |
公开(公告)号: | CN101392375A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 金南绪;姜东浒;李骐范;曺三永 | 申请(专利权)人: | 株式会社东进世美肯 |
主分类号: | C23F1/16 | 分类号: | C23F1/16 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟 晶 |
地址: | 韩国仁*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 形成 薄膜晶体管 液晶 显示装置 中的 电路 蚀刻 组合 | ||
1.一种蚀刻剂组合物,基于所述蚀刻剂组合物的总重量,包含:55-75wt%的磷酸、0.75-1.99wt%的硝酸、10-20wt%的醋酸、0.05-0.5wt%的Mo蚀刻控制剂、0.02-3wt%的含硼化合物和余量的水,所述Mo蚀刻控制剂包括至少一种选自MH2PO4、M2HPO4、M3PO4、MHSO4、M2SO4、CH3COOM、MHCO3、M2CO3、MNO3和M2C2O4的盐,其中M为NH4、Na或K,所述含硼化合物包括至少一种选自H3BO3、B2O3、KBO2、NaBO2、HBO2、H2B4O7、Na2B4O7·10H2O和KB5O8·4H2O的化合物。
2.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物,其中,所述Mo蚀刻控制剂包括至少一种选自KNO3、CH3COOK、NH4NO3、CH3COONH4、KH2PO4、(NH4)H2PO4和KHSO4的盐。
3.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物,其中,所述Mo蚀刻控制剂为KNO3或CH3COONH4。
4.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物,其中,所述含硼化合物是在蚀刻剂组合物中分解且形成硼离子或含硼离子的化合物。
5.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物,其中,所述含硼化合物为H3BO3。
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