[发明专利]一种p型ZnO的欧姆接触电极及其制备方法无效
申请号: | 200810162694.3 | 申请日: | 2008-11-28 |
公开(公告)号: | CN101431138A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 叶志镇;卢洋藩 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 韩介梅 |
地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开的p型ZnO的欧姆接触电极,在p型ZnO层上自下而上依次沉积第一电极层和第二电极层,其中第一电极层是金属Ni层,第二电极层是金属Pt层。其制备方法包括在p型ZnO层表面光刻出电极图案,然后采用真空电子束蒸发法在p型ZnO层上依次沉积金属Ni层和金属Pt层,再将制备的电极在氮气中400℃~550℃范围内进行快速热退火。经过快速退火使电极金属表面附近形成一层Pt-Ni合金保护层,从而可避免电极材料受到环境的影响而造成性能衰退,同时可以避免p型ZnO中的受主杂质向外逃逸,保持p型ZnO层中的空穴浓度。本发明的p型ZnO的欧姆接触电极具有低接触电阻率和热稳定性,有利于器件应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 zno 欧姆 接触 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种p型ZnO的欧姆接触电极,在p型ZnO层(1)上自下而上依次沉积第一电极层(2)和第二电极层(3),其特征在于所说的第一电极层(2)是金属Ni层,第二电极层(3)是金属Pt层。
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