[发明专利]一种NAND闪存自适应启动方法有效
申请号: | 200810148004.9 | 申请日: | 2008-12-25 |
公开(公告)号: | CN101498990A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 孙银明 | 申请(专利权)人: | 四川登巅微电子有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F9/445 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 徐 丰 |
地址: | 610041四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种NAND闪存自适应启动方法,将不同的行列地址组合依次发送给NAND闪存,然后检测RB的反应,当RB反应为正常的行列地址,则是NAND闪存的行列地址信息,得到所述行列地址信息后,再从NAND中读取包含全部信息的系统配置信息,启动系统;本发明用NAND闪存控制线RB的不同响应自动识别NAND闪存的行列地址的方法,然后搜索配置信息,从而正确的启动系统,解决了系统只能从某一种NAND启动的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 nand 闪存 自适应 启动 方法 | ||
【主权项】:
1、一种NAND闪存自适应启动方法,其特征在于:将不同的行列地址组合依次发送给NAND闪存,然后检测RB的反应,当RB反应为正常的行列地址,则是NAND闪存的行列地址信息,得到所述行列地址信息后,再从NAND中读取包含全部信息的系统配置信息,启动系统。
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