[发明专利]一种SOI LIGBT器件

摘要

一种SOI LIGBT器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过在器件阴极侧增加一个收集阳极注入空穴的深结P⁺掺杂区(15)，以降低流过阴极N⁺区(11)下P型体区(8)中的空穴电流，并缩短阴极N⁺区(11)下寄生P型体区(8)电阻长度，从而防止P型体区(8)和阴极N⁺区(11)构成的PN结正向导通，避免由阴极N⁺区(11)、P型体区(8)和N^-漂移区(14)构成的寄生NPN管开启，提高LIGBT器件的抗闩锁能力。

主权项

1、一种SOI LIGBT器件，包括：衬底(1)，埋氧层(2)，N型缓冲层(3)，P+阳极区(4)，阳极金属(5)，场氧化层(6)，金属前介质(7)，P型体区(8)，多晶硅栅(9)，阴极金属(10)，阴极N+区(11)，阴极P+区(12)，栅氧层(13)和N-漂移区(14)；所述衬底(1)的上面是埋氧层(2)，所述埋氧层(2)上面是SOI层；所述SOI层一侧是N型缓冲层(3)，N型缓冲层(3)的上面是P+阳极区(4)，P+阳极区(4)的上面是阳极金属(5)；所述SOI层另一侧是P型体区(8)；SOI层中P型体区(8)和N型缓冲层(3)之间是N-漂移区(14)；N-漂移区(14)的上面是场氧化层(6)；部分P型体区(8)和部分N-漂移区(14)的上面是栅氧层(13)，栅氧层(13)和部分场氧化层(6)的上面是多晶硅栅(9)；阴极N+区(11)和阴极P+区(12)并排处于P型体区(8)的上部且与阴极金属(10)相连；多晶硅栅(9)和大部分场氧化层(6)的上面且在阳极金属(5)和阴极金属(10)之间的是金属前介质(7)；其特征在于，还包括一个深结P+掺杂区(15)，所述深结P+掺杂区(15)位于阴极N+区(11)和阴极P+区(12)下方，且纵向穿过P型体区(8)，并延伸进入N-漂移区(14)。