[发明专利]改善CMOS图像传感器成像质量的质子辐照方法无效
| 申请号： | 200810146636.1 | 申请日： | 2008-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101355052A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 孟祥提;黄强 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 史双元 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于图像处理技术领域的一种改善CMOS图像传感器成像质量的质子辐照方法。选择合适的质子辐照能量和注量，把CMOS图像传感器在加速器上，在室温下进行质子辐照。质子辐照能量和注量分别为在12－16MeV和5×109－1×1012cm－2为宜。在CMOS图像传感器各层中产生浓度比较均匀的电子-空穴对和空位。质子辐照对CMOS图像传感器的不均匀性有"整平"作用，因此，质子辐照能改善CMOS图像传感器的成像质量。它们会影响CMOS图像传感器的电学性能，能够掩盖和弱化CMOS图像传感器中的光敏二极管及晶体管放大器因制作工艺而造成的不均匀性，大大提高产品成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 cmos 图像传感器 成像 质量 质子 辐照 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善CMOS图像传感器成像质量的质子辐照方法，其特征在于：首先选择合适的质子辐照能量和注量，把CMOS图像传感器在加速器上进行质子辐照，在CMOS图像传感器各层中产生浓度比较均匀的电子-空穴对和空位，使对CMOS图像传感器的不均匀性具有“整平”作用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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