[发明专利]用于通过浸渗加固结构的方法无效
| 申请号： | 200810145137.0 | 申请日： | 2008-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101359621A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 黄遏明;W·F·兰德斯;M·莱恩;E·G·利尼格;刘小虎;D·L·奎斯塔德;T·M·肖 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种加固结构的方法，以便弥补结构中的缺陷、加强该结构并因此加固电介质而并不折衷该结构的期望的低介电常数。本发明的方法包括步骤：提供具有至少一个互连结构的半导体结构；切割该互连结构；将至少一种浸渗剂应用到该互连结构；以及使该浸渗剂浸渗以浸渗到该互连结构中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 通过 加固 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种加固结构的方法，所述方法包括：提供其中定位有至少一个互连结构的结构；对所述包括所述至少一个互连结构的结构进行切割；将至少一种渗透剂应用到所述至少一个互连结构的暴露边沿；以及将所述浸渗剂浸渗到所述至少一个互连结构中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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