[发明专利]使复合衬底沿脆化面断裂的方法和装置有效
| 申请号： | 200810144915.4 | 申请日： | 2008-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101364534A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 大卫·勒格罗 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/673;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及使复合衬底沿脆化面断裂的方法和装置，特别是涉及沿着两层之间所限定的脆化面使复合结构(100)断裂的方法，所述方法包括沿着脆化面在所述结构中产生断裂。在断裂过程中，将所述复合结构放置在舟腔室(120)中，并面向置于所述结构两侧且彼此平行排列的加固件(118)保持。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 衬底 沿脆化面 断裂 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种使复合结构(100)沿两层之间所限定的脆化面断裂的方法，所述方法包括沿所述脆化面在所述结构中产生断裂，其特征在于在断裂过程中，使所述结构以与设置于所述结构的两侧并与所述结构隔开的加固件(118)相接触的方式而保持。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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