[发明专利]像素结构及其制造方法无效
申请号: | 200810137906.2 | 申请日: | 2008-07-03 |
公开(公告)号: | CN101620351A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | 洪国峰;张原豪 | 申请(专利权)人: | 中华映管股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84;H01L21/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈 亮 |
地址: | 台湾省台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示一种像素结构及其制造方法。其中像素结构包括一基板、一扫描线、一数据线、一共用线、一有源元件、一像素电极、一绝缘层与一保护层,其中扫描线、数据线与共用线配置于基板上。有源元件电性连接至扫描线与数据线。像素电极电性连接至有源元件。绝缘层覆盖共用线。保护层覆盖有源元件与共用线上方的绝缘层。其中,共用线上方的绝缘层与保护层的总厚度,以远离共用线的方向渐缩。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,包括:一基板;一扫描线,配置于该基板上;一数据线,配置于该基板上;一共用线,配置于该基板上;一有源元件,配置于该基板上,且该有源元件电性连接至该扫描线与该数据线;一绝缘层,由该有源元件中延伸出并至少覆盖该共用线;一保护层,覆盖该有源元件并延伸至该共用线上方的绝缘层上,其中对应于该共用线上方的该保护层与该绝缘层中具有一凹陷,以使该绝缘层与该保护层的总厚度,以远离该共用线的方向渐缩;以及一像素电极,配置于该保护层上,并电性连接至该有源元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中华映管股份有限公司,未经中华映管股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810137906.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。