[发明专利]半导体器件、场致发光器件及场致发光显示装置的制法

摘要

本发明提供半导体器件、场致发光器件及场致发光显示装置的制法。其中，利用促进硅结晶化的金属元素，获得具有优良特性的薄膜晶体管。在101和102区域，以及108～110区域、选择地把镍元素掺杂在非晶硅膜103的表面上。然后进行热处理，在104～107所示的基片上进行平行的生长(横向生长)。这时，宽度为5μm以下的区域108～110成为停止区，则停止从101～102区域开始进行的横向生长。由此，可能控制横向生长区域的设置。这样可能利用具有相同结晶生长形态的区域构成移位寄存器等的电路。

主权项

1. 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在绝缘表面上形成包含非晶硅的半导体膜；在所述半导体膜上形成掩膜，其中所述掩膜具有至少两个开口以暴露所述半导体膜的第一区域和第二区域；通过所述掩膜的两个开口将结晶促进材料提供给所述第一和第二区域，所述结晶促进材料包含用于促进所述半导体膜结晶的金属；以及加热带有所述结晶促进材料的所述半导体膜以使所述半导体膜结晶，其中晶体从所述第一区域生长到所述第二区域，以及所述晶体的生长停止于所述第二区域。