[发明专利]半导体器件、场致发光器件及场致发光显示装置的制法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

在绝缘表面上形成非晶硅膜；

在所述非晶硅膜上形成掩膜，其中所述掩膜具有至少两个开口以暴露所述非晶硅膜的第一区域和宽度为5μm以下的第二区域；

通过所述掩膜的两个开口将结晶促进材料提供给所述第一和第二区域，所述结晶促进材料包含用于促进所述非晶硅膜结晶的金属；以及

加热带有所述结晶促进材料的所述非晶硅膜以使所述非晶硅膜结晶，

其中晶体从所述第一区域横向生长到所述第二区域，以及所述晶体的生长停止于所述第二区域。

2.按照权利要求1的方法，其中，所述金属选自Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu和Au组成的组。

3.一种制造电致发光器件的方法，包括下列步骤：

在绝缘表面上形成非晶硅膜；

在所述非晶硅膜上形成掩膜，其中所述掩膜具有至少两个开口以暴露所述非晶硅膜的第一区域和宽度为5μm以下的第二区域；

通过所述掩膜的两个开口将结晶促进材料提供给所述第一区域和第二区域，所述结晶促进材料包含用于促进所述非晶硅膜结晶的金属；以及

加热带有所述结晶促进材料的所述非晶硅膜以使所述非晶硅膜结晶，

其中晶体从所述第一区域横向生长到所述第二区域，以及所述晶体的生长停止于所述第二区域。

4.按照权利要求3的方法，其中，所述金属选自Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu和Au组成的组。

5.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

在绝缘表面上形成非晶硅膜；

在所述非晶硅膜上形成掩膜，其中所述掩膜具有至少两个开口以暴露所述非晶硅膜的第一区域和宽度为5μm以下的第二区域；

通过所述掩膜的两个开口将结晶促进材料提供给所述第一区域和第二区域，所述结晶促进材料包含用于促进所述非晶硅膜结晶的金属；以及

加热带有所述结晶促进材料的所述非晶硅膜以使所述非晶硅膜结晶，

其中晶体从所述第一区域基本上平行于所述绝缘表面生长，

其中所述第二区域用作停止从所述第一区域结晶的停止区。

6.按照权利要求5的方法，其中，所述金属选自Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu和Au组成的组。

7.一种制造电致发光显示装置的方法，包括下列步骤：

在绝缘表面上形成非晶硅膜；

在所述非晶硅膜上形成掩膜，其中所述掩膜具有至少两个开口以暴露所述非晶硅膜的第一区域和宽度为5μm以下的第二区域；

通过所述掩膜的两个开口将结晶促进材料提供给所述第一区域和第二区域，所述结晶促进材料包含用于促进所述非晶硅膜结晶的金属；以及

加热带有所述结晶促进材料的所述非晶硅膜以使所述非晶硅膜结晶，

其中晶体从所述第一区域基本上平行于所述绝缘表面生长，

其中所述第二区域用作停止从所述第一区域结晶的停止区。

8.按照权利要求7的方法，其中，所述金属选自Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu和Au组成的组。

9.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

在绝缘表面上形成非晶硅膜，所述非晶硅膜具有互相平行设置的第一条状区域和宽度为5μm以下的第二条状区域；

在所述非晶硅膜上形成掩膜，所述掩膜具有至少两个开口以暴露所述非晶硅膜的第一条状区域和第二条状区域；

通过所述掩膜的两个开口将结晶促进材料提供给所述第一条状区域和第二条状区域，所述结晶促进材料包含用于促进所述非晶硅膜结晶的金属；以及

加热带有所述结晶促进材料的所述非晶硅膜以使所述非晶硅膜结晶，

其中所述第一条状区域和第二条状区域的宽度不同，以及

其中所述第二条状区域用作停止从所述第一条状区域横向结晶的停止区。

10.按照权利要求9的方法，其中，所述金属选自Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu和Au组成的组。