[发明专利]用于字符线多重平坦化的阶梯式多重回蚀工艺

摘要

本发明涉及一种蚀刻多晶硅材料以避免形成异常多晶硅截面轮廓(profile)的方法，至少包含提供具有字符线(word line)的基板，并在基板及字符在线沉积多晶硅层；接着在多晶硅层上沉积有机底部抗反射层(Bottom Antireflective Coating，BARC)；接着执行阶梯式蚀刻以去除底部抗反射层及一部分的多晶硅层。阶梯式蚀刻包含一系列的蚀刻循环，每一循环包含蚀穿(breakthrough etch)与软性着陆蚀刻(soft landing etch)，蚀穿及软性着陆蚀刻是使用不同蚀刻气体、功率(source power)及偏压功率(bias power)、压力、气流速率及时间来执行，阶梯式蚀刻会产生平滑而不具有陡峭台阶(abrupt steps)的多晶硅表面。

主权项

1、一种字符线蚀刻的方法，其特征在于，该方法至少包含下述步骤：(a)图刻一字符线；(b)在该字符线上沉积一层多晶硅；(c)在该层多晶硅上沉积一层底部抗反射材料；(d)使用一阶梯式蚀刻法蚀刻该底部抗反射层及该多晶硅层，该阶梯式蚀刻法会移除该底部抗反射层及一部分该多晶硅层；(e)在该已蚀刻的多晶硅层顶部表面沉积一介电层；以及(f)在该介电层上施加一掩膜层，并蚀刻至少一图形至该多晶硅层；其中该阶梯式蚀刻法包含一系列的蚀穿步骤及软性着陆蚀刻步骤。