[发明专利]用于执行非易失性存储器件中的擦除操作的方法有效
申请号: | 200810129104.7 | 申请日: | 2008-06-23 |
公开(公告)号: | CN101447231A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 元参规;车载元;白侊虎 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/12 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 杨林森;康建峰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种用于执行非易失性存储器件中的擦除操作的方法,包括以下步骤:向由多个串构成的被选择的存储单元块的P阱施加擦除电压,在每个所述串中,多个存储单元和侧存储单元串联连接;通过向被选择的存储单元块的字线施加软编程电压来执行软编程操作;并且通过向侧存储单元施加编程电压来对侧存储单元编程。 | ||
搜索关键词: | 用于 执行 非易失性存储器 中的 擦除 操作 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种用于操作非易失性存储器件的方法,所述方法包括:向具有至少一个串的存储单元块施加擦除电压,所述串包括第一和第二控制单元以及提供于所述第一和第二控制单元之间的多个存储单元;并且向所述第一和第二控制单元施加第一电压以使得所述第一和第二控制单元的第一和第二阈值电压高于参考电压。
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