[发明专利]门极灵敏触发单向可控硅芯片及其生产方法

摘要

本发明提供一种门极灵敏触发单向可控硅芯片，它提高了产品的温度特性，改善了触发电流I_GT的批一致性。本发明还提供生产门极灵敏触发单向可控硅芯片的方法，该方法工艺简单，加工方便，并改善了产品的性能。门极灵敏触发单向可控硅芯片，包括门极电极G、阴极电极K、阳极电极A、N⁺发射区、N型长基区、P型短基区和P型阳极区，所述芯片周围蚀刻有外沟槽，其特征是在芯片内部设有一段内沟槽，所述内沟槽与外沟槽之间构成一个长条形的电阻臂，所述电阻臂利用N⁺发射区下的P型短基区形成一个阻值较大的扩散电阻R_GK，所述扩散电阻R_GK的一端通过芯片的内引线与门极电极G连接，另一端通过芯片的内引线与阴极电极K连接。

主权项

1、门极灵敏触发单向可控硅芯片，包括门极电极G、阴极电极K、阳极电极A、N+发射区、N型长基区、P型短基区和P型阳极区，所述芯片周围蚀刻有外沟槽，其特征是在芯片内部设有一段内沟槽，所述内沟槽与外沟槽之间构成一个长条形的电阻臂，所述电阻臂利用N+发射区下的P型短基区形成一个阻值较大的扩散电阻RGK，所述扩散电阻RGK的一端通过芯片的内引线与门极电极G连接，另一端通过芯片的内引线与阴极电极K连接。