[发明专利]一种测量准一维纳米材料赛贝克系数的方法和系统无效
| 申请号： | 200810119277.0 | 申请日： | 2008-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN101354388A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 许胜勇;高亦斌;王俊逸;王烨;彭练矛 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00;G01N25/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量准一维纳米材料赛贝克系数的方法和系统，使两个横截面尺度为微米级的线状过渡电极分别与两个厘米级的块状金属电极相接触，然后利用纳米探针系统使单根的待测准一维纳米材料连接两个过渡电极，改变两个块状金属电极之间的温度差，同时测量该两电极的温度差和对应的电势差，即可获得准一维纳米材料的赛贝克系数。相应的测试系统包括实验平台、变温装置和数据采集及处理装置三部分。本发明通过微米级过渡电极解决了厘米级电极到纳米级待测样品的接触过渡问题，利用纳米探针系统安装纳米材料，而不是随机撒在电极两侧，提高了实验的成功率、可控性与可靠性，所提供的测量系统具有结构简单、成本低、易推广等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 准一维 纳米 材料 贝克 系数 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种测量准一维纳米材料赛贝克系数的方法，包括以下步骤：1)使两个横截面尺度为微米级的线状过渡电极分别与两个大小为厘米级的块状金属电极相接触；2)利用纳米探针系统使单根的待测准一维纳米材料连接两个过渡电极；3)改变两个块状金属电极之间的温度差，同时测量该两电极的温度差和对应的电势差，计算得到准一维纳米材料的赛贝克系数。
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