[发明专利]栅层的制造方法有效
| 申请号： | 200810118404.5 | 申请日： | 2008-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101651096A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 何永根;戴树刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种栅层的形成方法，包括：提供具有多晶硅层的衬底；执行等离子体掺杂工艺，在所述多晶硅层中掺入氮掺杂；执行离子注入掺杂工艺，在所述多晶硅层中掺入减小该多晶硅层电阻率的杂质；对已执行所述的等离子体掺杂和离子注入掺杂的多晶硅层执行退火工艺。本发明可以抑制掺入改善电阻率的杂质离子的多晶硅晶粒尺寸的增大，改善形成的栅极的物理性能和电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种栅层的形成方法，其特征在于，包括：提供具有多晶硅层的衬底；执行等离子体掺杂工艺，在所述多晶硅层中掺入氮掺杂；执行离子注入掺杂工艺，在所述多晶硅层中掺入减小该多晶硅层电阻率的杂质；对已执行所述的等离子体掺杂和离子注入掺杂的多晶硅层执行退火工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
