[发明专利]电平移动电路和半导体器件有效
| 申请号： | 200810109852.9 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101350618A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 原田祐一;伊仓巧裕;渡边泰正;上野胜典 | 申请（专利权）人： | 富士电机电子技术株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185;H01L21/784 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种即便在过量负电压或ESD浪涌被施加于高压电源端子时也不会发生失效和故障的电平移动电路和半导体器件。该电平移动电路由电平移动电阻器、与该电平移动电阻器相连的限流电阻器、以及其漏极连接到该限流电阻器的n沟道MOSFET构成，并且电平移动电阻器与限流电阻器之间的部分是电平上移电路的输出部。通过设置限流电阻器，因过量负电压或ESD浪涌而流动的电流被抑制，由此防止电平移动电流失效或故障。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 移动 电路 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种用来驱动功率器件的栅极的驱动电路的电平移动电路，所述功率器件的一个主端子被连接到高压电源的高电位侧而其另一个主端子被连接到负载，低电位侧低压电路区的信号被转换成高电位侧低压电路区的信号，所述低电位侧低压电路区的电流由以所述高压电源的低电位侧作为基准的低压电源提供，而所述高电位侧低压电路区的电流由以所述功率器件的另一主端子作为基准的低压电源提供，其中所述电平移动电路具有设置在以所述功率器件的所述另一主端子作为基准的低压电源的高电位侧与高压电源的低电位侧之间的第一电路，并且所述第一电路包括：源极区和沟道区短路的MOSFET、与所述MOSFET串联连接并连接至所述MOSFET的漏极区的电平移动电阻器、以及与所述电平移动电阻器并联且将所述低压电源的高电位侧作为阴极地连接的保护二极管，以及限制了所述MOSFET的体二极管的电流的限流电阻器串联连接在以所述高压电源的低电位侧作为基准的所述低压电源的高电位侧与所述第一电路之间。
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